電激勵的參數(shù)設(shè)置對鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的檢測效果有著決定性的影響，需要根據(jù)不同的檢測對象進(jìn)行精細(xì)調(diào)控。電流大小的選擇尤為關(guān)鍵，必須嚴(yán)格適配電子元件的額定耐流值。如果電流過小，產(chǎn)生的熱量不足以激發(fā)明顯的溫度響應(yīng)，系統(tǒng)將難以捕捉到缺陷信號；

而電流過大則可能導(dǎo)致元件過熱損壞，造成不必要的損失。頻率的選擇同樣不容忽視，高頻電激勵產(chǎn)生的熱量主要集中在元件表面，適合檢測表層的焊接缺陷、線路斷路等問題；低頻電激勵則能使熱量滲透到元件內(nèi)部，可有效探測深層的結(jié)構(gòu)缺陷，如芯片內(nèi)部的晶格缺陷。在檢測復(fù)雜的集成電路時，技術(shù)人員往往需要通過多次試驗(yàn)，確定比較好的電流和頻率參數(shù)組合，以確保系統(tǒng)能夠清晰區(qū)分正常區(qū)域和缺陷區(qū)域的溫度信號，從而保障檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性。例如，在檢測高精度的傳感器芯片時，通常會采用低電流、多頻率的電激勵方式，以避免對芯片的敏感元件造成干擾。 鎖相熱紅外電激勵成像主動加熱，適用于定量和深層缺陷檢測，被動式檢測物體自身溫度變化，用于定性檢測。失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途

電子產(chǎn)業(yè)的存儲器芯片檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨(dú)特作用，為保障數(shù)據(jù)存儲**提供了有力支持。存儲器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設(shè)備中用于存儲數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件，其存儲單元的質(zhì)量直接決定了數(shù)據(jù)存儲的可靠性。存儲單元若存在缺陷，如氧化層擊穿、接觸不良等，會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、讀寫錯誤等問題。通過對存儲器芯片施加電激勵，進(jìn)行讀寫操作，缺陷存儲單元會因電荷存儲異常而產(chǎn)生異常溫度。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠定位這些缺陷單元的位置，幫助制造商在生產(chǎn)過程中篩選出合格的存儲器芯片，提高產(chǎn)品的合格率。例如，在檢測固態(tài)硬盤中的 NAND Flash 芯片時，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)存在壞塊的存儲單元區(qū)域，這些區(qū)域在讀寫操作時溫度明顯升高。通過標(biāo)記這些壞塊并進(jìn)行屏蔽處理，能夠有效保障數(shù)據(jù)存儲的**，推動電子產(chǎn)業(yè)存儲領(lǐng)域的健康發(fā)展。顯微鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P20紅外熱像儀捕獲這些溫度變化，通過鎖相技術(shù)提取微弱的有用信號，提高檢測靈敏度。

從技術(shù)原理來看，該設(shè)備構(gòu)建了一套完整的 “熱信號捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測器（如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測器）能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射，配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊，可同時實(shí)現(xiàn)熱信號與光子發(fā)射的同步觀測。在檢測過程中，設(shè)備先通過熱紅外顯微鏡快速鎖定可疑區(qū)域，再啟動 RTTLIT 系統(tǒng)的鎖相功能：施加周期性電信號激勵后，缺陷會產(chǎn)生與激勵頻率同步的微弱熱響應(yīng)，鎖相模塊過濾掉環(huán)境噪聲，將原本被掩蓋的熱信號放大并成像。這種 “先定位、再聚焦” 的模式，既保證了檢測效率，又突破了傳統(tǒng)設(shè)備對微弱信號的檢測極限。

在半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的現(xiàn)在，芯片集成度不斷提升，器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統(tǒng)檢測設(shè)備往往難以兼顧微觀觀測與微弱信號捕捉，導(dǎo)致許多隱性缺陷成為 “漏網(wǎng)之魚”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發(fā)實(shí)力，將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統(tǒng)創(chuàng)造性地集成一體，推出 Thermal EMMI P 熱紅外顯微鏡系列檢測設(shè)備（搭載自主研發(fā)的 RTTLIT （實(shí)時瞬態(tài)鎖相紅外系統(tǒng)），為半導(dǎo)體的失效分析提供了全新的技術(shù)范式。

電激勵作為一種能量輸入方式，能激發(fā)物體內(nèi)部熱分布變化，為鎖相熱成像系統(tǒng)捕捉細(xì)微溫差提供熱源基礎(chǔ)。

鎖相熱成像系統(tǒng)借助電激勵在電子產(chǎn)業(yè)的微型電子元件檢測中展現(xiàn)出極高的靈敏度，滿足了電子產(chǎn)業(yè)向微型化、高精度發(fā)展的需求。隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，電子元件正朝著微型化方向快速發(fā)展，如微型傳感器、微型繼電器等，其尺寸通常在毫米甚至微米級別，缺陷也更加細(xì)微，傳統(tǒng)的檢測方法難以應(yīng)對。電激勵能夠在微型元件內(nèi)部產(chǎn)生微小但可探測的溫度變化，即使是納米級的缺陷也能引起局部溫度的細(xì)微波動。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合先進(jìn)的鎖相技術(shù)，能夠從強(qiáng)大的背景噪聲中提取出與電激勵同頻的溫度信號，將微小的溫度變化放大并清晰顯示出來，從而檢測出微米級的缺陷。例如，在檢測微型加速度傳感器的敏感元件時，系統(tǒng)能夠發(fā)現(xiàn)因制造誤差導(dǎo)致的微小結(jié)構(gòu)變形，這些變形會影響傳感器的測量精度。這一技術(shù)的應(yīng)用，為微型電子元件的質(zhì)量檢測提供了有力支持，推動了電子產(chǎn)業(yè)向微型化、高精度方向不斷發(fā)展。鎖相熱成像系統(tǒng)的同步控制模塊需與電激勵源保持高度協(xié)同，極小的同步誤差都可能導(dǎo)致檢測圖像出現(xiàn)相位偏移。半導(dǎo)體失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像

高靈敏度紅外相機(jī)（ mK 級），需滿足高幀率（至少為激勵頻率的 2 倍，遵循采樣定理）以捕捉周期性溫度變化。失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途

在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代，電子設(shè)備的性能與可靠性至關(guān)重要。從微小的芯片到復(fù)雜的電路板，任何一個環(huán)節(jié)出現(xiàn)故障都可能導(dǎo)致整個系統(tǒng)的崩潰。在這樣的背景下，蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的實(shí)時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)（RTTLIT）應(yīng)運(yùn)而生，猶如一顆璀璨的明星，為電子行業(yè)的失效分析領(lǐng)域帶來了全新的解決方案。

致晟光電成立于 2024 年，總部位于江蘇蘇州，公司秉持著 “需求為本、科技創(chuàng)新” 的理念，專注于電子產(chǎn)品失效分析儀器設(shè)備的研發(fā)與制造。 失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途