賽米控SEMiX系列二極管模塊**了功率領域的封裝**。該平臺采用創(chuàng)新的"三明治"結(jié)構(gòu)設計，將DCB基板、芯片和散熱底板通過納米銀燒結(jié)工藝一體化集成。以SEMiX 453GB12E4s為例，該1200V/450A模塊的寄生電感*7nH，比傳統(tǒng)模塊降低50%。獨特的壓力接觸系統(tǒng)（PCS）技術(shù)消除了焊接疲勞問題，使模塊在ΔTj=80K的功率循環(huán)條件下壽命超過30萬次。在電梯變頻器應用中，實測顯示采用該模塊的系統(tǒng)效率提升至98.8%，溫升降低15K。賽米控還提供模塊化設計套件（MDK），支持客戶快速實現(xiàn)不同拓撲配置。

二極管正向特性

外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。當二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向?qū)ā?叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。