二極管、三極管、場效應管都是半導體器件，在電子電路中擔任著十分重要的作用，現(xiàn)在我來和朋友們聊聊它們之間的聯(lián)系和區(qū)別吧。場效應管（MOS管）我先說說MOS（場效應管）管，MOS管在半導體基片的兩側(cè)也是有兩個PN結(jié)。從P型（或者N型）半導體上面引出一個電極并將這個電極連接起來作為MOS管的柵極（G）。然后在基片的兩端再引出兩個電極分別稱為源極（S）和漏極（D）。如下圖所表示的那樣。從圖中我們可以知道，柵極（G）和源極（S）和漏極（D）是不導電的，所以我們給它起個名字就叫絕緣柵型場效應管，這個器件的名字就是這樣的來的。這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動。深圳市凱軒業(yè)電子科技有限公司。深圳可控硅管

高壓硅堆的檢測高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆，其正向電阻值大于200kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已軟擊穿損壞。變阻二極管的檢測用萬用表R×10k檔測量變阻二極管的正、反向電阻值，正常的高頻變阻二極管的正向電阻值（黑表筆接正極時）為Ω，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向電阻值均很小或均為無窮大，則說明被測變阻二極管已損壞。深圳可控硅管穩(wěn)壓二極管是很多電路中，低電流供電時使用比較多的方案。信賴之選深圳市凱軒業(yè)電子科技有限公司。

7、用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表).a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b;判別半導體三極管基極：用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極，紅表筆分別接半導體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉(zhuǎn)，若兩次的測量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極（兩次阻值都小的為NPN型管，兩次阻值都大的為PNP型管），若兩次測量阻值一大一小，則用黑筆重新固定半導體三極管一個引腳極繼續(xù)測量，直到找到基極。c;.判別半導體三極管的c極和e極：確定基極后，對于NPN管，用萬用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測量兩次，若兩次測量的結(jié)果不相等，則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑紅表筆所接得電極相反）。d;判別半導體三極管的類型.如果已知某個半導體三極管的基極,可以用紅表筆接基極,黑表筆分別測量其另外兩個電極引腳,如果測得的電阻值很大,則該三極管是NPN型半導體三極管,如果測量的電阻值都很小,則該三極管是PNP型半導體三極管.

外一個標稱為1N4004的二極管，通過實測會發(fā)現(xiàn)，它的反向耐壓的數(shù)值居然與1N4007相同。說明器件生產(chǎn)商為了減少型號庫存，將同規(guī)格的器件按照不同型號來出品。不同型號的1N400X反向擊穿電壓曲線，1N4004,1N4007的反向耐壓曲線是相同有的時候，對于二極管的反向耐壓數(shù)值要求精度比較高，向TVS瞬變二極管通常用于***和吸收電路中瞬態(tài)高電壓脈沖，用于保護電路。它的擊穿電壓需要能夠比較精確。如果與標稱值有較大的誤差的話，在實際工作中就起不到保護電路的作用了。手邊的TVS二極管，型號為1.5KE100A，數(shù)據(jù)手冊給定的反向擊穿電壓范圍是：85.5~105V，典型擊穿電壓為95V。下面是實測反向電壓電流曲線，它的擊穿電壓為96V，與標稱值非常接近晶體管設計，就選深圳市凱軒業(yè)科技，有想法的可以來電咨詢！

激光二極管的檢測1．阻值測量法拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴重老化，不能再使用了。2．電流測量法用萬用表測量激光二極管驅(qū)動電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據(jù)歐姆定律估算出流過該管的電流值，當電流超過100mA時，若調(diào)節(jié)激光功率電位器（見圖4-76），而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴重老化。若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學諧振腔已損壞。深圳市凱軒業(yè)科技致力于晶體管產(chǎn)品研發(fā)及方案設計，歡迎您的來電！深圳肖特基二極管

部分二極管所具備的電流方向性，通常稱之為“整流”功能。深圳可控硅管

10、半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向?qū)щ娦裕ㄗⅲ汗韫艿膶妷簽?.6－0.8V；鍺管的導通電壓為0.2－0.3V），而工程分析時通常采用的是0.7V.11、半導體二極管的伏安特性曲線：（通過二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關系曲線為二極管的伏安特性曲線。）見圖三.圖三硅和鍺管的伏安特性曲線12、半導體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,反向電阻應在100K以上.總之,正向電阻越小,越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內(nèi)部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內(nèi)部斷開或擊穿的二極管均不能使用。深圳可控硅管